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MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88674
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
0 0.20.1 1.0 1.1 1.20.3 0.6 0.7 0.0.4
0.5 0.98
TJ
= 150 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
0 10020
40 60
80
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2035CT - MBR2045CT
MBR2050CT & MBR2060CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
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